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BYT60P-1000


SI Diode
GFX
UR 1kV
IF 85A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BYT60P-1000 ist eine Silizium Diode, U = 1kV, I = 85A, Anwend: Hochvoltdiode speziell für Schaltnetzteile und andere Wandler
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu BYT60P-1000
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: SOD93
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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-
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