R
X
G
Seite:

BYM36C


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 3A
- -
trr 100nS
UF / IF <1.22V/3A
TJ 175°C
die BYM36C ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 3A, Anwend: schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYM36C
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYM36C Datenblatt (jpg):verfügbar
BYM36C Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYM36C


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 3A
- -
trr 100nS
UF / IF <1.22V/3A
TJ 175°C
die BYM36C ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 3A, Anwend: schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYM36C
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYM36C Datenblatt (jpg):verfügbar
BYM36C Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYM36C


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 3A
- -
trr 100nS
UF / IF <1.22V/3A
TJ 175°C
die BYM36C ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 3A, Anwend: schnelle Avalanche Diode, vorzugsweise eingesetzt im Bereich Schaltnetzteil sowie schnelle Frequenzwandler,"soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYM36C
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYM36C Datenblatt (jpg):verfügbar
BYM36C Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche