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BYD47-18


SI Diode
GFX
UR 1.8kV
IF 800mA
- -
trr 300nS
UF / IF <2.05V/1A
TJ 175°C
die BYD47-18 ist eine Silizium Diode, U = 1.8kV, I = 800mA, Anwend: schneller Gleichrichter, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYD47-18
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD87
BYD47-18 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYD47-18 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYD47-18


SI Diode
GFX
UR 1.8kV
IF 800mA
- -
trr 300nS
UF / IF <2.05V/1A
TJ 175°C
die BYD47-18 ist eine Silizium Diode, U = 1.8kV, I = 800mA, Anwend: schneller Gleichrichter, "soft recovery"
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Gehäuse: SOD87
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GFX
UR 1.8kV
IF 800mA
- -
trr 300nS
UF / IF <2.05V/1A
TJ 175°C
die BYD47-18 ist eine Silizium Diode, U = 1.8kV, I = 800mA, Anwend: schneller Gleichrichter, "soft recovery"
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-
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