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BAW51


SI Diode
GFX
UR 65V
IF 350mA
- -
- -
UF / IF <1.15V/100mA
TJ 150°C
die BAW51 ist eine Silizium Diode, U = 65V, I = 350mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999, Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
Erweiterte Informationen zu BAW51
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: DO-7
BAW51 Datenblatt (jpg):-
BAW51 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BAW51


SI Diode
GFX
UR 65V
IF 350mA
- -
- -
UF / IF <1.15V/100mA
TJ 150°C
die BAW51 ist eine Silizium Diode, U = 65V, I = 350mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999, Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
Erweiterte Informationen zu BAW51
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: DO-7
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-
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BAW51


SI Diode
GFX
UR 65V
IF 350mA
- -
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UF / IF <1.15V/100mA
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OEM Datenblatt:-
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-
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