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BAW10


SI Diode
GFX
UR 50V
IF 200mA
- -
- -
UF / IF <1.2V/200mA
- -
die BAW10 ist eine Silizium Diode, U = 50V, I = 200mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalo...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999, Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
Erweiterte Informationen zu BAW10
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: DO-35
BAW10 Datenblatt (jpg):-
BAW10 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BAW10


SI Diode
GFX
UR 50V
IF 200mA
- -
- -
UF / IF <1.2V/200mA
- -
die BAW10 ist eine Silizium Diode, U = 50V, I = 200mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999, Kristalldioden & Transistoren Taschentabelle KTT10 (Franzis Verlag)
Erweiterte Informationen zu BAW10
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: DO-35
BAW10 Datenblatt (jpg):-
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OEM Datenblatt:-
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-
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BAW10


SI Diode
GFX
UR 50V
IF 200mA
- -
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UF / IF <1.2V/200mA
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die BAW10 ist eine Silizium Diode, U = 50V, I = 200mA, Anwend: Universaltyp
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-
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