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BAV45


SI Diode
GFX
UR 20V
IF 50mA
- -
- -
UF / IF <1V/10mA
TJ 125°C
die BAV45 ist eine Silizium Diode, U = 20V, I = 50mA, Anwend: Diode mit sehr niedrigem Leckstrom und niedriger Kapazität für Clamping, Haltestufen, Spitzenwertstufen, Zeitstufen etc.
Photo: -
Quelle: Va Halbleiterdioden 1987
Erweiterte Informationen zu BAV45
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: TO-18-2P
BAV45 Datenblatt (jpg):verfügbar
BAV45 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BAV45


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GFX
UR 20V
IF 50mA
- -
- -
UF / IF <1V/10mA
TJ 125°C
die BAV45 ist eine Silizium Diode, U = 20V, I = 50mA, Anwend: Diode mit sehr niedrigem Leckstrom und niedriger Kapazität für Clamping, Haltestufen, Spitzenwertstufen, Zeitstufen etc.
Photo: -
Quelle: Va Halbleiterdioden 1987
Erweiterte Informationen zu BAV45
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: TO-18-2P
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-
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IF 50mA
- -
- -
UF / IF <1V/10mA
TJ 125°C
die BAV45 ist eine Silizium Diode, U = 20V, I = 50mA, Anwend: Diode mit sehr niedrigem Leckstrom und niedriger Kapazität für Clamping, Haltestufen, Spitzenwertstufen, Zeitstufen etc.
Photo: -
Quelle: Va Halbleiterdioden 1987
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OEM:Valvo GmbH
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-
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Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
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