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1N6629


SI Diode
GFX
UR 800V
IF 1.4A
- -
trr 50nS
- -
- -
die 1N6629 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 1.4A, Anwend: Schaltstufen, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1N6629
OEM:Unitrode Cor... [mehr]
Unitrode Corporation, USA
Gehäuse: SOD51
1N6629 Datenblatt (jpg):-
1N6629 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1N6629


SI Diode
GFX
UR 800V
IF 1.4A
- -
trr 50nS
- -
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die 1N6629 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 1.4A, Anwend: Schaltstufen, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1N6629
OEM:Unitrode Cor... [mehr]
Unitrode Corporation, USA
Gehäuse: SOD51
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SI Diode
GFX
UR 800V
IF 1.4A
- -
trr 50nS
- -
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Jaeger electronic catalog 1999
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