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1N660


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 100mA
Ptot 0.25W
trr 300nS
- -
- -
die 1N660 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 100mA, Anwend: Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Texas Instruments Halblei...... [mehr]
Texas Instruments Halbleiter Datenbuch 68/69
Erweiterte Informationen zu 1N660
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: DO-35
1N660 Datenblatt (jpg):verfügbar
1N660 Datenblatt (pdf):verfügbar
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-
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SI Diode
GFX
UR 100V
IF 500mA
Ptot 0.5W
trr 300nS
- -
TJ 175°C
die 1N660 ist eine Silizium Diode, U = 100V, I = 500mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: Fairchild Diode Data Book...... [mehr]
Fairchild Diode Data Book 1978
Erweiterte Informationen zu 1N660
OEM:Fairchild Ca... [mehr]
Fairchild Camera & Instrument Corp. USA
Gehäuse: DO-35
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