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1N3256


SI Diode
GFX
UR 800V
IF 750mA
- -
- -
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die 1N3256 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 750mA, Anwend: Gleichrichter, isoliertes Gehäuse
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1N3256
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: DO-12
1N3256 Datenblatt (jpg):-
1N3256 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1N3256


SI Diode
GFX
UR 800V
IF 750mA
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die 1N3256 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 750mA, Anwend: Gleichrichter, isoliertes Gehäuse
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1N3256
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: DO-12
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SI Diode
GFX
UR 800V
IF 750mA
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die 1N3256 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 750mA, Anwend: Gleichrichter, isoliertes Gehäuse
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