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RFD7N10LESM


SI N-MOSFET Transistor
GFX
UDS 100V
IDS 7A
UGS ±10V
RDS(ON) <0.3Ω/7A
Ptot 47W
TON/TOFF 110/60nS
der RFD7N10LESM ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 7A, Anwend: Logik - Pegel, VFET
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RFD7N10LESM
OEM:RCA Electron... [mehr]
RCA Electronic Components
Gehäuse: TO-252
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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GFX
UDS 100V
IDS 7A
UGS ±10V
RDS(ON) <0.3Ω/7A
Ptot 47W
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Gehäuse: TO-252
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