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RFB18N10CS


SI N-MOSFET Transistor
GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 18A / 56A
UGS ±20V
RDS(ON) 0.1Ω/9A
Ptot 79W
TON/TOFF 14/33nS
der RFB18N10CS ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 18A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Harris Databook Power MOS...... [mehr]
Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991
Erweiterte Informationen zu RFB18N10CS
OEM:Harris Semic... [mehr]
Harris Semiconductors
Gehäuse:TS-001-5
RFB18N10CS Datenblatt (jpg):verfügbar
RFB18N10CS Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

RFB18N10CS


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GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 18A / 56A
UGS ±20V
RDS(ON) 0.1Ω/9A
Ptot 79W
TON/TOFF 14/33nS
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Harris Databook Power MOSFETs/IGBTs/UF Rectifiers... 1991
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UDS 100V
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RDS(ON) 0.1Ω/9A
Ptot 79W
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