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PTE10019


SI N-MOSFET Transistor
GFX
UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 215W
fT -
der PTE10019 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 65V, Anwend: Stufen für Mobilfunk, GSM und DAMP im Bereich 860 bis 960MHz
marking code: E10019
Photo: -
Quelle: Ericsson RF power transis...... [mehr]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
Erweiterte Informationen zu PTE10019
OEM:Ericsson Com... [mehr]
Ericsson Components AB
Gehäuse: 7
PTE10019 Datenblatt (jpg):-
PTE10019 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

PTE10019


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GFX
UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 215W
fT -
der PTE10019 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 65V, Anwend: Stufen für Mobilfunk, GSM und DAMP im Bereich 860 bis 960MHz
marking code: E10019
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Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
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UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
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