R
X
G
Seite:

IRF9Z10S


SI P-MOSFET Transistor
GFX
UDS -50V
IDS DC/AC -4.7A / -19A
UGS 20V
RDS(ON) <0.5Ω/2.5A
Ptot 20W
TON/TOFF 80/79nS
der IRF9Z10S ist ein Silizium P-MOSFET Transistor, Uds = 50V, Ids = 4.7A, Anwend: VFET
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu IRF9Z10S
OEM:Internationa... [mehr]
International Rectifier Corp. USA
Gehäuse:TO-262,TO-263
IRF9Z10S Datenblatt (jpg):-
IRF9Z10S Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

IRF9Z10S


SI P-MOSFET Transistor
GFX
UDS -50V
IDS DC/AC -4.7A / -19A
UGS 20V
RDS(ON) <0.5Ω/2.5A
Ptot 20W
TON/TOFF 80/79nS
der IRF9Z10S ist ein Silizium P-MOSFET Transistor, Uds = 50V, Ids = 4.7A, Anwend: VFET
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu IRF9Z10S
OEM:Internationa... [mehr]
International Rectifier Corp. USA
Gehäuse:TO-262,TO-263
IRF9Z10S Datenblatt (jpg):-
IRF9Z10S Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

IRF9Z10S


SI P-MOSFET Transistor
GFX
UDS -50V
IDS DC/AC -4.7A / -19A
UGS 20V
RDS(ON) <0.5Ω/2.5A
Ptot 20W
TON/TOFF 80/79nS
der IRF9Z10S ist ein Silizium P-MOSFET Transistor, Uds = 50V, Ids = 4.7A, Anwend: VFET
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu IRF9Z10S
OEM:Internationa... [mehr]
International Rectifier Corp. USA
Gehäuse:TO-262,TO-263
IRF9Z10S Datenblatt (jpg):-
IRF9Z10S Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche