Lookbooks
R
X
G
Seite:

UN2217


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 80MHz
TJ -
der UN2217 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 22kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu UN2217
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN2217 Datenblatt (jpg):-
UN2217 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

UN2217


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 80MHz
TJ -
der UN2217 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 22kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu UN2217
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN2217 Datenblatt (jpg):-
UN2217 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

UN2217


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 80MHz
TJ -
der UN2217 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 22kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu UN2217
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN2217 Datenblatt (jpg):-
UN2217 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche