R
X
G
Seite:

TSD30100


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 1200/1200V
IC 30A
hFE -
Ptot 310W
TON/TOFF 3/18µS
TJ -
der TSD30100 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu TSD30100
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
Gehäuse:SOT227
TSD30100 Datenblatt (jpg):-
TSD30100 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

TSD30100


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 1200/1200V
IC 30A
hFE -
Ptot 310W
TON/TOFF 3/18µS
TJ -
der TSD30100 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu TSD30100
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
Gehäuse:SOT227
TSD30100 Datenblatt (jpg):-
TSD30100 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

TSD30100


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 1200/1200V
IC 30A
hFE -
Ptot 310W
TON/TOFF 3/18µS
TJ -
der TSD30100 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu TSD30100
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
Gehäuse:SOT227
TSD30100 Datenblatt (jpg):-
TSD30100 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche