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T4123


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 30/40V
IC 0.2A
hFE 25-150
Ptot 350mW
fT >250MHz
TJ 150°C
der T4123 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 30V, Ic = 200mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: KST4123
Erweiterte Informationen zu T4123
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T4123 Datenblatt (jpg):-
T4123 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

T4123


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 30/40V
IC 0.2A
hFE 25-150
Ptot 350mW
fT >250MHz
TJ 150°C
der T4123 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 30V, Ic = 200mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: KST4123
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OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: SOT-23
T4123 Datenblatt (jpg):-
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-
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GFX
UCE/UCB 30/40V
IC 0.2A
hFE 25-150
Ptot 350mW
fT >250MHz
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