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SGSD100


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 25A
hFE 0.6-15k
Ptot 130W
fT -
TJ -
der SGSD100 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 25A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu SGSD100
OEM:SGS Ates Com... [mehr]
SGS Ates Componenti Elettronici S.p.A. Italy
Gehäuse: TO-3P
SGSD100 Datenblatt (jpg):-
SGSD100 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

SGSD100


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GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 25A
hFE 0.6-15k
Ptot 130W
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der SGSD100 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 25A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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IC 25A
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