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PDTC114ES


SI NPN Transistor
GFX
UCB 50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 500mW
fT -
TJ 150°C
der PDTC114ES ist ein Silizium NPN Transistor, Ucb = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Interface und Treiberstufen, Widerstände integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu PDTC114ES
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT54
PDTC114ES Datenblatt (jpg):-
PDTC114ES Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
PDTA114ES
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

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hFE >30
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-
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