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P25


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCB 40V
IC 0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
der P25 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Ucb = 40V, Ic = 500mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: KSP25
Erweiterte Informationen zu P25
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P25 Datenblatt (jpg):-
P25 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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IC 0.5A
hFE >10000
Ptot 625mW
fT -
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IC 0.5A
hFE >10000
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