Lookbooks
R
X
G
Seite:

P05


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 0.5A
hFE >50
Ptot 625mW
fT 100MHz
TJ 150°C
der P05 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 500mA, Anwend: Verstärker
Photo: -
Quelle: KSP05
Erweiterte Informationen zu P05
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P05 Datenblatt (jpg):-
P05 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

P05


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 0.5A
hFE >50
Ptot 625mW
fT 100MHz
TJ 150°C
der P05 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 500mA, Anwend: Verstärker
Photo: -
Quelle: KSP05
Erweiterte Informationen zu P05
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P05 Datenblatt (jpg):-
P05 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

P05


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 0.5A
hFE >50
Ptot 625mW
fT 100MHz
TJ 150°C
der P05 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 500mA, Anwend: Verstärker
Photo: -
Quelle: KSP05
Erweiterte Informationen zu P05
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P05 Datenblatt (jpg):-
P05 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche