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MJE18002D2


SI NPN Transistor
GFX
UCE 1000V
IC 2A
hFE 4-25
Ptot 50W
fT 13MHz
TJ 150°C
der MJE18002D2 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 1kV, Ic = 2A, Anwend: Ballast- Stufen, Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJE18002D2
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-220AB
MJE18002D2 Datenblatt (jpg):-
MJE18002D2 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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