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MJD112


SI NPN darlington Transistor
UCE/UCB 100/100V
IC 2A
hFE 0.2-12k
Ptot 20W
fT >25MHz
TJ 150°C
der MJD112 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 2A, Anwend: Schalttransistor, Leistungstransistor (Universaltyp)
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJD112
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse:CASE369A
MJD112 Datenblatt (jpg):-
MJD112 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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IC 2A
hFE 0.2-12k
Ptot 20W
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