R
X
G
Seite:

MJ10002


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 350/450V
IC 10A
hFE >40
Ptot 150W
fT >10MHz
TJ -
der MJ10002 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 350V, Ic = 10A, Anwend: Schaltnetzteile, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MJ10002
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ10002 Datenblatt (jpg):-
MJ10002 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ10002


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 350/450V
IC 10A
hFE >40
Ptot 150W
fT >10MHz
TJ -
der MJ10002 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 350V, Ic = 10A, Anwend: Schaltnetzteile, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MJ10002
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ10002 Datenblatt (jpg):-
MJ10002 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ10002


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 350/450V
IC 10A
hFE >40
Ptot 150W
fT >10MHz
TJ -
der MJ10002 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 350V, Ic = 10A, Anwend: Schaltnetzteile, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MJ10002
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ10002 Datenblatt (jpg):-
MJ10002 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche