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MF1011B900Y


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 65/65V
IC 50A
hFE -
Ptot 1.75kW
fT 1.09GHz
TJ 200°C
der MF1011B900Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 50A, Anwend: Mikrowellen Leistungstransistor, Class C Breitband- Pulsverstärker in Basisschaltung für IFF, TCAS und Mode... [mehr]
der MF1011B900Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 50A, Anwend: Mikrowellen Leistungstransistor, Class C Breitband- Pulsverstärker in Basisschaltung für IFF, TCAS und Mode S Stufen im 1030 bis 1090 MHz Band - peak power
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu MF1011B900Y
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:SOT448A
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MF1011B900Y


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 65/65V
IC 50A
hFE -
Ptot 1.75kW
fT 1.09GHz
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der MF1011B900Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 50A, Anwend: Mikrowellen Leistungstransistor, Class C Breitband- Pulsverstärker in Basisschaltung für IFF, TCAS und Mode... [mehr]
der MF1011B900Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 50A, Anwend: Mikrowellen Leistungstransistor, Class C Breitband- Pulsverstärker in Basisschaltung für IFF, TCAS und Mode S Stufen im 1030 bis 1090 MHz Band - peak power
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu MF1011B900Y
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:SOT448A
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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der MF1011B900Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 50A, Anwend: Mikrowellen Leistungstransistor, Class C Breitband- Pulsverstärker in Basisschaltung für IFF, TCAS und Mode S Stufen im 1030 bis 1090 MHz Band - peak power
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