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LAE4002R


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 35/40V
IC 90mA
hFE 15-150
Ptot 625mW
fT 4GHz
TJ 200°C
der LAE4002R ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 35V, Ic = 90mA, Anwend: Leistungsverstärker in Class A Emitterschaltung bis zu 4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu LAE4002R
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT100
LAE4002R Datenblatt (jpg):-
LAE4002R Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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Ptot 625mW
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