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LAE4001R


SI NPN Transistor
UCE/UCB 25/30V
IC 80mA
hFE 20-220
Ptot 480mW
fT 4GHz
TJ 200°C
der LAE4001R ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 80mA, Anwend: Leistungsverstärker in Class A Emitterschaltung bis zu 4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu LAE4001R
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT100
LAE4001R Datenblatt (jpg):-
LAE4001R Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

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