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ESMT5070DF


SI NPN darlington Transistor
UCE/UCB 700/1000V
IC 50A
hFE -
Ptot 300W
Time 18µS
TJ -
der ESMT5070DF ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 700V, Ic = 50A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu ESMT5070DF
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
Gehäuse:-
ESMT5070DF Datenblatt (jpg):-
ESMT5070DF Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

ESMT5070DF


SI NPN darlington Transistor
UCE/UCB 700/1000V
IC 50A
hFE -
Ptot 300W
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der ESMT5070DF ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 700V, Ic = 50A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics, France, Italia
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SI NPN darlington Transistor
UCE/UCB 700/1000V
IC 50A
hFE -
Ptot 300W
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