BP1A3M Transistor Datenblatt
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BP1A3M


SI PNP Transistor

Gehäuse
UCE/UCB -25/-25V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 750mW
TON/TOFF --
TJ -
der BP1A3M ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 1kOhm, Rbe 1kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BP1A3M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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UCE/UCB -25/-25V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 750mW
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