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G
last update 16.05. qual. improvement

Analog Devices AD534 & AD536A
Connection Tables added
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Sescosem Geometry BC205 replaced
GFX

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Motorola Geometry 2N5641 replaced
GFX

Seite:

BA2L4M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE >550
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der BA2L4M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm, Rbe 47kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BA2L4M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
BA2L4M Datenblatt (jpg):-
BA2L4M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:BN2L4M
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

BA2L4M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE >550
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der BA2L4M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu BA2L4M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
BA2L4M Datenblatt (jpg):-
BA2L4M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:BN2L4M
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

BA2L4M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE >550
Ptot 250mW
fT -
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der BA2L4M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Komplementär Typ:BN2L4M
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-
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