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B817


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -140/-160V
IC -12A
hFE -
Ptot 100W
fT 15MHz
TJ -
der B817 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 140V, Ic = 12A, Anwend: Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: 2SB817
Erweiterte Informationen zu B817
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3P
B817 Datenblatt (jpg):-
B817 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD1047
Ähnliche Typen: ↓BD746F, [mehr]
BD746F,2SA1294,2SA1386,2SA1386A,2SA1492
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IC -12A
hFE -
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SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -140/-160V
IC -12A
hFE 60-200
Ptot 100W
fT 15MHz
TJ 150°C
der B817 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 140V, Ic = 12A, Anwend: DC/DC Konverter, NF- Verstärker
Photo: -
Quelle: KSB817
Erweiterte Informationen zu B817
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
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