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B810


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 350mW
fT 160MHz
TJ -
der B810 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung, Universaltyp
Photo: -
Quelle: 2SB810
Erweiterte Informationen zu B810
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:-
B810 Datenblatt (jpg):-
B810 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD1020
Ähnliche Typen:2SA1705, [mehr]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
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GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.7A
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Ptot 350mW
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UCE/UCB -25/-30V
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2SD1020


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B810
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC DC/AC 0.7/1A
hFE -
Ptot 350mW
fT 170MHz
TJ -
der 2SD1020 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD1020
OEM:Nippon Elect... [mehr]
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Komplementär Typ: ↑2SB810
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Komplementär Typ zu B810
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