R
X
G
ll
 Seite:
1 .. 869 870870 871 872 873 874874 875 .. 1676  
rr

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

di

Transistoren

tr

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

B808


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -15/-20V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 250mW
fT 250MHz
TJ -
der B808 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 15V, Ic = 700mA, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
Photo: -
Quelle: 2SB808
Erweiterte Informationen zu B808
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
B808 Datenblatt (jpg):-
B808 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD1012
Ähnliche Typen: ↓2SA1705, [mehr]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B808


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -15/-20V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 250mW
fT 250MHz
TJ -
der B808 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 15V, Ic = 700mA, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
Photo: -
Quelle: 2SB808
Erweiterte Informationen zu B808
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
B808 Datenblatt (jpg):-
B808 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD1012
Ähnliche Typen: ↓2SA1705, [mehr]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B808


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -15/-20V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 250mW
fT 250MHz
TJ -
der B808 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 15V, Ic = 700mA, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
Photo: -
Quelle: 2SB808
Erweiterte Informationen zu B808
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
B808 Datenblatt (jpg):-
B808 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD1012
Ähnliche Typen: ↓2SA1705, [mehr]
2SA1705,2SA1708,2SB1116,2SB1437
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung