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B807
SI PNP Transistor
GFX
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CE
/U
CB
-150/-150V
I
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-0.1A
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tot
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f
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200MHz
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der B807 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 150V, Ic = 100mA, Anwend: NF- Stufen, rauscharm
Photo:
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Quelle:
2SB807
Erweiterte Informationen zu B807
OEM:
Nippon Elect...
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:
SOT89
B807 Datenblatt (jpg):
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B807 Datenblatt (pdf):
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Komplementär Typ:
↑
2SD1009
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SI PNP Transistor
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der B807 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 150V, Ic = 100mA, Anwend: NF- Stufen, rauscharm
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:
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der B807 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 150V, Ic = 100mA, Anwend: NF- Stufen, rauscharm
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse:
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SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B807
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der 2SD1009 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 150V, Ic = 50mA, Anwend: Universaltyp, rauscharm
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Jaeger electronic catalog......
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Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD1009
OEM:
Matsushita D...
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:
SOT89
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Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD1009
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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der 2SD1009 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 150V, Ic = 50mA, Anwend: Universaltyp, rauscharm
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Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD1009
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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SOT89
2SD1009 Datenblatt (jpg):
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2SB807
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