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B791


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE 1-20k
Ptot 40W
fT -
TJ -
der B791 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB791
Erweiterte Informationen zu B791
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B791 Datenblatt (jpg):-
B791 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SD970
Ähnliche Typen:BD652, [mehr]
BD652,BDT20,BDW74D,BDX54D,2SB1107
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B791


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE 1-20k
Ptot 40W
fT -
TJ -
der B791 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Erweiterte Informationen zu B791
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Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
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B791


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE 1-20k
Ptot 40W
fT -
TJ -
der B791 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Erweiterte Informationen zu B791
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Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BD652


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE >750
Ptot 62.5W
fT 7MHz
TJ 150°C
der BD652 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 8A, Anwend: Schalttransistor, Leistungs- Verstärker
Photo: -
Quelle: Va Valvo Halbleiterbauele...... [mehr]
Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976
Ähnlicher Typ: BD652
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: TO-220
BD652 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:BD651
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BDW74D,BDX34D,BDX54E,BDT20
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BD652


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE >750
Ptot 62.5W
fT 7MHz
TJ 150°C
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Ähnlicher Typ: BD652
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BD652


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
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Ptot 62.5W
fT 7MHz
TJ 150°C
der BD652 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 8A, Anwend: Schalttransistor, Leistungs- Verstärker
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Ähnlicher Typ: BD652
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: TO-220
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Komplementär Typ:BD651
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BDT20


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -130/-130V
IC -8A
hFE >750
Ptot 62.5W
fT -
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der BDT20 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 130V, Ic = 8A, Anwend: NF- Stufen, Leistungstransistor, integrierte Diode
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BDT20
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:-
BDT20 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:BDT21
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BDT20


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -130/-130V
IC -8A
hFE >750
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der BDT20 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 130V, Ic = 8A, Anwend: NF- Stufen, Leistungstransistor, integrierte Diode
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Philips Semiconductors
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Komplementär Typ:BDT21
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BDT20


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -130/-130V
IC -8A
hFE >750
Ptot 62.5W
fT -
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der BDT20 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 130V, Ic = 8A, Anwend: NF- Stufen, Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BDT20
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Philips Semiconductors
Gehäuse:-
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Komplementär Typ:BDT21
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BDW74D


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE >750
Ptot 80W
fT >1MHz
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der BDW74D ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BDW74D
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: TO-220
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OEM Datenblatt:-
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BD652,BDX34D,BDX54E
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BDW74D


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE >750
Ptot 80W
fT >1MHz
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der BDW74D ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BDW74D
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: TO-220
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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BD652,BDX34D,BDX54E
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BDW74D


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -8A
hFE >750
Ptot 80W
fT >1MHz
TJ -
der BDW74D ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BDW74D
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: TO-220
BDW74D Datenblatt (jpg):-
BDW74D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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BD652,BDX34D,BDX54E
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SB1107


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -10A
hFE 5000
Ptot 40W
fT -
TJ -
der 2SB1107 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 10A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SB1107
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Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
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Komplementär Typ:2SD1607
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BDT62C,BDX34D
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2SB1107


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -10A
hFE 5000
Ptot 40W
fT -
TJ -
der 2SB1107 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 10A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SB1107
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
2SB1107 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:2SD1607
Ähnliche Typen:BDT62C, [mehr]
BDT62C,BDX34D
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2SB1107


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B791 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -120/-120V
IC -10A
hFE 5000
Ptot 40W
fT -
TJ -
der 2SB1107 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 120V, Ic = 10A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SB1107
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
2SB1107 Datenblatt (jpg):-
2SB1107 Datenblatt (pdf):-
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Komplementär Typ:2SD1607
Ähnliche Typen:BDT62C, [mehr]
BDT62C,BDX34D
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