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B786


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCB -40V
IC -2A
hFE 10000
Ptot 5W
fT 150MHz
TJ -
der B786 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Ucb = 40V, Ic = 2A, Anwend: Leistungstransistor, Anschlüsse vom Gehäuse isoliert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu B786
OEM:Rohm Corpora... [mehr]
Rohm Corporation Ltd. Japan
Gehäuse:TO-126Iso
B786 Datenblatt (jpg):-
B786 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:2SB1310, [mehr]
2SB1310,2SB1067
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B786


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCB -40V
IC -2A
hFE 10000
Ptot 5W
fT 150MHz
TJ -
der B786 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Ucb = 40V, Ic = 2A, Anwend: Leistungstransistor, Anschlüsse vom Gehäuse isoliert
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu B786
OEM:Rohm Corpora... [mehr]
Rohm Corporation Ltd. Japan
Gehäuse:TO-126Iso
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B786 Datenblatt (pdf):-
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2SB1310,2SB1067
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B786


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCB -40V
IC -2A
hFE 10000
Ptot 5W
fT 150MHz
TJ -
der B786 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Ucb = 40V, Ic = 2A, Anwend: Leistungstransistor, Anschlüsse vom Gehäuse isoliert
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Rohm Corpora... [mehr]
Rohm Corporation Ltd. Japan
Gehäuse:TO-126Iso
B786 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:2SB1310, [mehr]
2SB1310,2SB1067
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SB1310


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B786 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -2A
hFE >1000
Ptot 5W
fT -
TJ -
der 2SB1310 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 40V, Ic = 2A, Anwend: Leistungstransistor
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SB1310
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Rohm Corporation Ltd. Japan
Gehäuse:TO-126Iso
2SB1310 Datenblatt (jpg):-
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2SB1310


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B786 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -2A
hFE >1000
Ptot 5W
fT -
TJ -
der 2SB1310 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 40V, Ic = 2A, Anwend: Leistungstransistor
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2SB1310


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B786 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -2A
hFE >1000
Ptot 5W
fT -
TJ -
der 2SB1310 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 40V, Ic = 2A, Anwend: Leistungstransistor
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2SB1067


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B786 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -2A
hFE 5000
Ptot 10W
fT 50MHz
TON/TOFF 0.4/2.4µS
der 2SB1067 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 2A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SB1067
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:TO-126Iso
2SB1067 Datenblatt (jpg):-
2SB1067 Datenblatt (pdf):-
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Ähnliche Typen:see 2SB1067
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2SB1067


SI PNP darlington Transistor
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GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -2A
hFE 5000
Ptot 10W
fT 50MHz
TON/TOFF 0.4/2.4µS
der 2SB1067 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 2A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Ähnliche Typen:see 2SB1067
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2SB1067


SI PNP darlington Transistor
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GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -2A
hFE 5000
Ptot 10W
fT 50MHz
TON/TOFF 0.4/2.4µS
der 2SB1067 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 2A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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Ähnliche Typen:see 2SB1067
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