R
X
G
ll
 Seite:
1 .. 751 752752 753 754 755 756756 757 .. 1676  
rr

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

di

Transistoren

tr

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

B693


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -20A
hFE 1-20k
Ptot 125W
fT -
TJ -
der B693 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 20A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB693
Erweiterte Informationen zu B693
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
B693 Datenblatt (jpg):-
B693 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD729
Ähnliche Typen: ↓BDX68B, [mehr]
BDX68B,MJ11013,2N6287
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B693


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -20A
hFE 1-20k
Ptot 125W
fT -
TJ -
der B693 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 20A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB693
Erweiterte Informationen zu B693
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
B693 Datenblatt (jpg):-
B693 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD729
Ähnliche Typen: ↓BDX68B, [mehr]
BDX68B,MJ11013,2N6287
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B693


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -20A
hFE 1-20k
Ptot 125W
fT -
TJ -
der B693 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 20A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB693
Erweiterte Informationen zu B693
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
B693 Datenblatt (jpg):-
B693 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD729
Ähnliche Typen: ↓BDX68B, [mehr]
BDX68B,MJ11013,2N6287
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung