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B677


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -40/-60V
IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
TON/TOFF 0.15/1.2µS
TJ -
der B677 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 40V, Ic = 4A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB677
Erweiterte Informationen zu B677
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-220
B677 Datenblatt (jpg):-
B677 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD687
Ähnliche Typen: ↓BD898, [mehr]
BD898,BDW24A,BDW54A,BDW64A
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IC -4A
hFE >2000
Ptot 30W
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TJ -
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