Transistor B670 Datenblatt

B670

SI PNP darlington Transistor

GFX

U_CE/U_CB

-90/-90V

I_C

-5A

h_FE

1-10k

P_tot

60W

f_T

T_J

der B670 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 90V, Ic = 5A, Anwend: Leistungstransistor

Photo:

Quelle:

2SB670

Erweiterte Informationen zu B670
OEM:	Matsushita D... [mehr] Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:	TO-3
B670 Datenblatt (jpg):	-
B670 Datenblatt (pdf):	-
OEM Datenblatt:	-
Komplementär Typ: ↓	2SD680
Ähnliche Typen: ↓	BDV64B, [mehr] BDV64B,BDX62B,TIP147,2SA1183
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I_C

-5A

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60W

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