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B639


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
TJ -
der B639 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, Anwend: integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB639
Erweiterte Informationen zu B639
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
B639 Datenblatt (jpg):-
B639 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD629
Ähnliche Typen: ↓BDV64B, [mehr]
BDV64B,BDX84C,BDX86C,2N6052
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B639


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
fT -
TJ -
der B639 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, Anwend: integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB639
Erweiterte Informationen zu B639
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
B639 Datenblatt (jpg):-
B639 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↓2SD629
Ähnliche Typen: ↓BDV64B, [mehr]
BDV64B,BDX84C,BDX86C,2N6052
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -10A
hFE >1000
Ptot 100W
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der B639 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 10A, Anwend: integrierte Diode
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Hitachi Ltd. Japan
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