R
X
G
ll
 Seite:
1 .. 656656 657 658658 659 660660 661 662662 .. 1676  
rr

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

di

Transistoren

tr

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

B600


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -10A
hFE -
Ptot 200W
fT 14MHz
TJ -
der B600 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 200V, Ic = 10A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: 2SB600
Erweiterte Informationen zu B600
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-3
B600 Datenblatt (jpg):-
B600 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD555
Ähnliche Typen:MJ15016, [mehr]
MJ15016,2SA1116,2SA1117,2SB613,2SB645
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B600


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -10A
hFE -
Ptot 200W
fT 14MHz
TJ -
der B600 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 200V, Ic = 10A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: 2SB600
Erweiterte Informationen zu B600
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-3
B600 Datenblatt (jpg):-
B600 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD555
Ähnliche Typen:MJ15016, [mehr]
MJ15016,2SA1116,2SA1117,2SB613,2SB645
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

B600


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -10A
hFE -
Ptot 200W
fT 14MHz
TJ -
der B600 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 200V, Ic = 10A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: 2SB600
Erweiterte Informationen zu B600
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-3
B600 Datenblatt (jpg):-
B600 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD555
Ähnliche Typen:MJ15016, [mehr]
MJ15016,2SA1116,2SA1117,2SB613,2SB645
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2SD555


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B600
GFX
UCE/UCB 200/250V
IC 10A
hFE -
Ptot 200W
fT 15MHz
TJ -
der 2SD555 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 200V, Ic = 10A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD555
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-3
2SD555 Datenblatt (jpg):-
2SD555 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SB600
Ähnliche Typen:see 2SD555
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2SD555


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B600
GFX
UCE/UCB 200/250V
IC 10A
hFE -
Ptot 200W
fT 15MHz
TJ -
der 2SD555 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 200V, Ic = 10A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD555
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-3
2SD555 Datenblatt (jpg):-
2SD555 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SB600
Ähnliche Typen:see 2SD555
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2SD555


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B600
GFX
UCE/UCB 200/250V
IC 10A
hFE -
Ptot 200W
fT 15MHz
TJ -
der 2SD555 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 200V, Ic = 10A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD555
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-3
2SD555 Datenblatt (jpg):-
2SD555 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SB600
Ähnliche Typen:see 2SD555
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung