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AF109


GE PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -18/-25V
IC -12mA
hFE >20
Ptot 33mW
fT 200MHz
TJ 75°C
der AF109 ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 18V, Ic = 12mA, Anwend: Vorstufen, Oszillatorstufen, Mischer, maximal 260MHz
Photo: -
Quelle: SH Halbleiter DB 1963
Erweiterte Informationen zu AF109
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-18
AF109 Datenblatt (jpg):verfügbar
AF109 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

AF109


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GFX
UCE/UCB -18/-25V
IC -12mA
hFE >20
Ptot 33mW
fT 200MHz
TJ 75°C
der AF109 ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 18V, Ic = 12mA, Anwend: Vorstufen, Oszillatorstufen, Mischer, maximal 260MHz
Photo: -
Quelle: SH Halbleiter DB 1963
Erweiterte Informationen zu AF109
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-18
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-
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-
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IC -12mA
hFE >20
Ptot 33mW
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der AF109 ist ein Germanium PNP Transistor, Uce = 18V, Ic = 12mA, Anwend: Vorstufen, Oszillatorstufen, Mischer, maximal 260MHz
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OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-18
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-
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-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
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