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AA1L3M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1L3M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb, Rbe 4.7kOhm integriert
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1L3M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AA1L3M Datenblatt (jpg):-
AA1L3M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AN1L3M
Ähnliche Typen:DTC143ES, [mehr]
DTC143ES,RN1001,UN421L,2SC4363
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AA1L3M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1L3M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb, Rbe 4.7kOhm integriert
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AA1L3M


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1L3M ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb, Rbe 4.7kOhm integriert
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

RN1001


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3M siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
der RN1001 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: RN1001
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN1001


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3M siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
der RN1001 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integriert
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN1001


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3M siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
der RN1001 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: RN1001
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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UN421L


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3M siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 80MHz
TJ -
der UN421L ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb, Rbe 4.7kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: UN421L
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN421L Datenblatt (jpg):-
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UN421L


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3M siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 80MHz
TJ -
der UN421L ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb, Rbe 4.7kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: UN421L
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN421L


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3M siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 80MHz
TJ -
der UN421L ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb, Rbe 4.7kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: UN421L
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SC4363


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3M siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC4363 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1996
Ähnlicher Typ: 2SC4363
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Komplementär Typ:2SA1656
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AA1L3M,DTC143ES,RN1001,UN421L
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2SC4363


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3M siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC4363 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1996
Ähnlicher Typ: 2SC4363
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Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Komplementär Typ:2SA1656
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AA1L3M,DTC143ES,RN1001,UN421L
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2SC4363


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3M siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC4363 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 4.7kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1996
Ähnlicher Typ: 2SC4363
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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2SC4363 Datenblatt (jpg):-
2SC4363 Datenblatt (pdf):-
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Komplementär Typ:2SA1656
Ähnliche Typen:AA1L3M, [mehr]
AA1L3M,DTC143ES,RN1001,UN421L
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp