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AA1A3Q


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1A3Q ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 1kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1A3Q
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AA1A3Q Datenblatt (jpg):-
AA1A3Q Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AN1A3Q
Ähnliche Typen: ↑DTC113ZS, [mehr]
DTC113ZS,UN4219
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Bauteilsuche:Suche

AA1A3Q


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1A3Q ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 1kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1A3Q
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AA1A3Q Datenblatt (jpg):-
AA1A3Q Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AN1A3Q
Ähnliche Typen: ↑DTC113ZS, [mehr]
DTC113ZS,UN4219
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AA1A3Q


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1A3Q ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 1kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1A3Q
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AA1A3Q Datenblatt (jpg):-
AA1A3Q Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AN1A3Q
Ähnliche Typen: ↑DTC113ZS, [mehr]
DTC113ZS,UN4219
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Bauteilsuche:Suche
Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

UN4219


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A3Q siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4219 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 1kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4219
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4219 Datenblatt (jpg):-
UN4219 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen: ↑-
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UN4219


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A3Q siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4219 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 1kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4219
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4219 Datenblatt (jpg):-
UN4219 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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Ähnliche Typen: ↑-
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UN4219


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A3Q siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4219 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 1kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4219
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4219 Datenblatt (jpg):-
UN4219 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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Ähnliche Typen: ↑-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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