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2N999
SI NPN darlington Transistor
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UCE/UCB
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60/60V
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IC
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-
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hFE
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4-70k
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Ptot
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-
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fT
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TJ
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125°C
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Photo:
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Quelle:
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GE General Electric Semic...... [mehr]
GE General Electric Semiconductors 1973
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| | Erweiterte Informationen zu 2N999 | | OEM: | General Elec... [mehr]
General Electric Co. GEC | | Gehäuse: |
286 | | 2N999 Datenblatt (jpg): | - | | 2N999 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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