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| MGY30N60D
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 50A | | Ptot | 202W | | TON/TOFF | 156/536nS | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Erweiterte Informationen zu MGY30N60D | | OEM: | Motorola Sem... [mehr] Motorola Semiconductor Products Inc. | | Gehäuse: | TOP-3L | | MGY30N60D Datenblatt (jpg): | - | | MGY30N60D Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | GT50J301, [mehr] GT50J301,GT60M301 | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 50A | | Ptot | 202W | | TON/TOFF | 156/536nS | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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| GT50J301
SI N-IGBT Transistor
similar to MGY30N60D, see note | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 50/100A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 400/500nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Ähnlicher Typ: GT50J301 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | 2-21F2C | | GT50J301 Datenblatt (jpg): | verfügbar | | GT50J301 Datenblatt (pdf): | verfügbar | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | MGY30N60D | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| GT60M301
SI N-IGBT Transistor
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