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MGY25N120D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
der MGY25N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGY25N120D
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse:TOP-3L
MGY25N120D Datenblatt (jpg):-
MGY25N120D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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GFX
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UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
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IC 38A
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