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MGW12N120D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
der MGW12N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGW12N120D
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-247
MGW12N120D Datenblatt (jpg):-
MGW12N120D Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BUP313D
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Bauteilsuche:Suche

MGW12N120D


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
TON/TOFF 157/307nS
TJ -
der MGW12N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
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SI N-IGBT Transistor
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UGE 20V
IC 20A
Ptot 123W
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der MGW12N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MGW12N120D
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Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-247
MGW12N120D Datenblatt (jpg):-
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BUP313D
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Bauteilsuche:Suche
Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BUP313D


SI N-IGBT Transistor
similar to MGW12N120D, see note
GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
TON/TOFF 115/470nS
TJ -
der BUP313D ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1kV, Ic = 32A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BUP313D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
BUP313D Datenblatt (jpg):-
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Ähnliche Typen:BUP307D
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BUP313D


SI N-IGBT Transistor
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GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
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der BUP313D ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1kV, Ic = 32A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
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Ähnlicher Typ: BUP313D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
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GFX
UCE 1000V
UGE 20V
IC 32A
Ptot 200W
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der BUP313D ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1kV, Ic = 32A, Anwend: Universaltyp, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BUP313D
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-3P
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Ähnliche Typen:BUP307D
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp