EN
DE
FR
IT
ES

Für den Einsatz von Cookies auf dieser Webseite ist Ihre Zustimmung erforderlich

EN
DE
FR
IT
ES
Während der Nutzung dieser Webseite werden Nutzungsdaten erhoben. Diese können sein: Nutzungsprotokolle sowie Traffic- Analysen. Einige Informationen werden in Cookies gespeichert. Cookies sind Text-Dateien die auf Ihrem Computer gespeichert werden, während Sie im Internet surfen. Die Datenschutzerklärung dieser Webseite beinhaltet erweiterte Informationen zum Schutz Ihrer Daten. Es werden nur technisch notwendige Cookies verwendet.
Um dieses Fenster erneut aufzurufen, klicken Sie bitte auf die cookies - Schaltfläche im unteren Bereich der jeweiligen Seite.
Impressum
Datenschutzerklärung
Ihre personenbezogenen Daten werden von mir weder weitergegeben noch verkauft
Sprachauswahl / Language selection
 
R
X
G
Seite:
logo WIMA 1µF / 50V 10% MKS
10 Stück für 0,50€
Jetzt bestellen
logo WIMA 1µF / 50V 10% MKS

Kondensator
10 Stück für 0,50€

Versand 2.55€ (DE) Preise incl. 19%

Jetzt bestellen
shop

MGW12N120D


SI N-IGBT Transistor
UCE 1.2kV
UGE 20V
IC 20A
TON/TOFF 157/307nS
Ptot 123W
TJ -
der MGW12N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
Photo: -
Quelle:
Jaeger electronic catalog... [mehr]
Erweiterte Informationen zu MGW12N120D
OEM:
Motorola Sem... [mehr]
Gehäuse: TO-247
MGW12N120D Info: -
MGW12N120D Datenblatt (pdf): -
- -
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen: BUP313D
Suchmaske Vergleichstyp: -
Bauteilsuche: Suche

MGW12N120D


SI N-IGBT Transistor
UCE 1.2kV
UGE 20V
IC 20A
TON/TOFF 157/307nS
Ptot 123W
TJ -
der MGW12N120D ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 20A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp), integrierte Diode
Photo: -
Quelle:
Jaeger electronic catalog... [mehr]
Erweiterte Informationen zu MGW12N120D
OEM:
Motorola Sem... [mehr]
Gehäuse: TO-247
MGW12N120D Info: -
MGW12N120D Datenblatt (pdf): -
- -
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen: BUP313D
Suchmaske Vergleichstyp: -
Bauteilsuche: Suche
agb