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MG30V2YS40


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1700V
UGE ±20V
IC DC/AC 30/60A
Ptot 500W
TON/TOFF 500/1000nS
TJ 150°C
der MG30V2YS40 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.7kV, Ic = 30A, Anwend: Motor- Steuerung, Leistungs- Schalttransistor, 2 Transistoren in einem Gehäuse
Photo: -
Quelle: Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Erweiterte Informationen zu MG30V2YS40
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-94D1A
MG30V2YS40 Datenblatt (jpg):verfügbar
MG30V2YS40 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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UCE 1700V
UGE ±20V
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Ptot 500W
TON/TOFF 500/1000nS
TJ 150°C
der MG30V2YS40 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.7kV, Ic = 30A, Anwend: Motor- Steuerung, Leistungs- Schalttransistor, 2 Transistoren in einem Gehäuse
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Toshiba IGBT Databook 1995/96
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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der MG30V2YS40 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.7kV, Ic = 30A, Anwend: Motor- Steuerung, Leistungs- Schalttransistor, 2 Transistoren in einem Gehäuse
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