| MG150J2YS50
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 150/300A | | Ptot | 780W | | TON/TOFF | 500/500nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Erweiterte Informationen zu MG150J2YS50 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | 2-95A1A | | Datenblatt (jpg): | verfügbar | | Datenblatt (pdf): | verfügbar | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
| - | Ähnliche Typen:
| - | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
|
